인피니언·엔비디아, GaN 전력 협력 확대

인피니언 테크놀로지스와 엔비디아는 10월 21일 베를린에서 열린 엔비디아 GTC 개발자 콘퍼런스에서 AI 데이터센터 전력 공급 협력을 확대했습니다. 양사는 질화갈륨(GaN) 전력 소자를 활용해 800V 직류(800V DC) 아키텍처용 고전압 중간 버스 컨버터(IBC) 솔루션을 공동 개발합니다. 솔루션은 엔비디아의 AI 팩토리용 개방형 모듈식 기준 아키텍처인 MGX를 대상으로 합니다.

이번 작업은 양사가 2025년에 시작한 800V DC 사업을 바탕으로 고전력 AI 랙의 전력 변환을 겨냥합니다. 인피니언은 CoolGaN 제품군과 고주파 스위칭을 활용해 800V에서 50V로, 800V에서 12V로 변환하는 구성을 개발할 계획입니다. 아키텍처는 랙당 최대 1MW를 소비하는 시스템을 지원하도록 설계됐으며, 적용은 2027년 단계적으로 시작될 예정입니다.

협력 확대는 중간 버스 변환에 GaN을 활용하는 데 초점을 둡니다. 양사는 솔루션이 전력 밀도를 높이고 전력 공급 과정의 손실과 냉각 장치 요구량을 줄이는 것을 목표로 한다고 밝혔습니다. 서버 메인보드를 제어된 방식으로 사전 충전·방전하고 랙이 작동 중일 때 부품을 교체하도록 설계돼, 유지보수 중 서비스 중단 위험을 줄이는 데 도움이 될 수 있습니다.

인피니언과 엔비디아는 2025년 5월 실리콘 카바이드(SiC)와 GaN을 포함한 800V DC 데이터센터 전력 협력을 처음 발표했습니다. GaN 기반 IBC 외에도 인피니언은 엔비디아의 800V DC 생태계에 SiC 소자, 전력 보호 부품 등 전력 제품을 공급하며, 전력망에서 AI 프로세서까지 이어지는 공급 체계를 지원합니다. 엔비디아 아키텍처는 기존 데이터센터의 여러 교류-직류 및 직류-직류 변환 단계를 단순화해 단계 수와 관련 부품을 줄이는 것을 목표로 합니다. 이 생태계에는 전력 반도체 공급업체, 전력 시스템 제조업체, 데이터센터 인프라 제공업체가 참여하며, 인피니언은 SiC·GaN·실리콘 기반 전력 소자를 제공합니다.

인피니언 테크놀로지스와 엔비디아는 10월 21일 베를린에서 열린 엔비디아 GTC 개발자 콘퍼런스에서 AI 데이터센터 전력 공급 협력을 확대했습니다. 양사는 질화갈륨(GaN) 전력 소자를 활용해 800V 직류(800V DC) 아키텍처용 고전압 중간 버스 컨버터(IBC) 솔루션을 공동 개발합니다. 솔루션은 엔비디아의 AI 팩토리용 개방형 모듈식 기준 아키텍처인 MGX를 대상으로 합니다.

이번 작업은 양사가 2025년에 시작한 800V DC 사업을 바탕으로 고전력 AI 랙의 전력 변환을 겨냥합니다. 인피니언은 CoolGaN 제품군과 고주파 스위칭을 활용해 800V에서 50V로, 800V에서 12V로 변환하는 구성을 개발할 계획입니다. 아키텍처는 랙당 최대 1MW를 소비하는 시스템을 지원하도록 설계됐으며, 적용은 2027년 단계적으로 시작될 예정입니다.

협력 확대는 중간 버스 변환에 GaN을 활용하는 데 초점을 둡니다. 양사는 솔루션이 전력 밀도를 높이고 전력 공급 과정의 손실과 냉각 장치 요구량을 줄이는 것을 목표로 한다고 밝혔습니다. 서버 메인보드를 제어된 방식으로 사전 충전·방전하고 랙이 작동 중일 때 부품을 교체하도록 설계돼, 유지보수 중 서비스 중단 위험을 줄이는 데 도움이 될 수 있습니다.

인피니언과 엔비디아는 2025년 5월 실리콘 카바이드(SiC)와 GaN을 포함한 800V DC 데이터센터 전력 협력을 처음 발표했습니다. GaN 기반 IBC 외에도 인피니언은 엔비디아의 800V DC 생태계에 SiC 소자, 전력 보호 부품 등 전력 제품을 공급하며, 전력망에서 AI 프로세서까지 이어지는 공급 체계를 지원합니다. 엔비디아 아키텍처는 기존 데이터센터의 여러 교류-직류 및 직류-직류 변환 단계를 단순화해 단계 수와 관련 부품을 줄이는 것을 목표로 합니다. 이 생태계에는 전력 반도체 공급업체, 전력 시스템 제조업체, 데이터센터 인프라 제공업체가 참여하며, 인피니언은 SiC·GaN·실리콘 기반 전력 소자를 제공합니다.