SK하이닉스, iHBM 공급망 협의 착수

SK하이닉스가 HBM 발열을 줄이기 위한 차세대 기술 iHBM의 실제 제품 적용과 생산 준비를 위해 국내외 소재·부품·장비 협력사와 협의에 착수했습니다. 업계에 따르면 회사는 최근 iHBM의 기술 고도화와 양산 계획을 논의했으며, 한 협력사 관계자는 실제 공정 적용과 상용화를 위한 협업을 타진하고 양산 가능성을 점검 중이라고 전했습니다.

SK하이닉스가 5월 공개한 iHBM은 HBM의 가장 아래에 있는 베이스다이 위에 일체형 냉각 요소 ICE(통합 냉각 소자)를 적용합니다. 베이스다이에는 GPU와 초고속 데이터 통신을 연결하는 D2D 경로가 있으며, 데이터 연산량과 HBM 적층 단수가 늘면 발열이 심해집니다. 열이 코어다이를 거쳐 빠져나가 기존 구조에서는 열 제어 효율이 낮다고 기사에 설명됐습니다.

SK하이닉스는 베이스다이의 통신 연결 구간에 ICE를 넣어 열이 빠져나갈 경로를 만들고 열 저항을 30% 이상 낮출 수 있다고 밝혔습니다. 회사 설명에 따르면 고온·고부하 환경에서도 HBM을 안정적으로 구동해 AI 인프라 효율을 높일 수 있습니다. 발열 제어가 되지 않으면 전력 효율 저하, 성능 저하, 시스템 오류, 수명 단축으로 이어질 수 있습니다.

iHBM에는 SK하이닉스가 도입한 어드밴스드 MR-MUF와 웨이퍼레벨패키징 공정이 적용됩니다. 회사는 기존 HBM과 유사한 소재·부품·장비 공급망을 갖출 것으로 전망되며, iHBM의 성능과 생산성을 높이도록 협력사 범위를 넓히는 방안도 검토 중인 것으로 알려졌습니다. SK하이닉스는 HBM5부터 iHBM 적용을 목표로 하고 있으며, HBM5는 로드맵상 2029년 선보일 전망입니다. 현재 TSMC의 첨단 패키징 기술 CoWoS를 활용해 HBM5를 검증하고 있습니다. 업계 관계자는 경쟁사들이 기술 고도화와 생산능력 강화에 나선 가운데 SK하이닉스가 차세대 시장 우위를 위한 기술 차별화를 시도하고 있다고 평가했습니다.

SK하이닉스가 HBM 발열을 줄이기 위한 차세대 기술 iHBM의 실제 제품 적용과 생산 준비를 위해 국내외 소재·부품·장비 협력사와 협의에 착수했습니다. 업계에 따르면 회사는 최근 iHBM의 기술 고도화와 양산 계획을 논의했으며, 한 협력사 관계자는 실제 공정 적용과 상용화를 위한 협업을 타진하고 양산 가능성을 점검 중이라고 전했습니다.

SK하이닉스가 5월 공개한 iHBM은 HBM의 가장 아래에 있는 베이스다이 위에 일체형 냉각 요소 ICE(통합 냉각 소자)를 적용합니다. 베이스다이에는 GPU와 초고속 데이터 통신을 연결하는 D2D 경로가 있으며, 데이터 연산량과 HBM 적층 단수가 늘면 발열이 심해집니다. 열이 코어다이를 거쳐 빠져나가 기존 구조에서는 열 제어 효율이 낮다고 기사에 설명됐습니다.

SK하이닉스는 베이스다이의 통신 연결 구간에 ICE를 넣어 열이 빠져나갈 경로를 만들고 열 저항을 30% 이상 낮출 수 있다고 밝혔습니다. 회사 설명에 따르면 고온·고부하 환경에서도 HBM을 안정적으로 구동해 AI 인프라 효율을 높일 수 있습니다. 발열 제어가 되지 않으면 전력 효율 저하, 성능 저하, 시스템 오류, 수명 단축으로 이어질 수 있습니다.

iHBM에는 SK하이닉스가 도입한 어드밴스드 MR-MUF와 웨이퍼레벨패키징 공정이 적용됩니다. 회사는 기존 HBM과 유사한 소재·부품·장비 공급망을 갖출 것으로 전망되며, iHBM의 성능과 생산성을 높이도록 협력사 범위를 넓히는 방안도 검토 중인 것으로 알려졌습니다. SK하이닉스는 HBM5부터 iHBM 적용을 목표로 하고 있으며, HBM5는 로드맵상 2029년 선보일 전망입니다. 현재 TSMC의 첨단 패키징 기술 CoWoS를 활용해 HBM5를 검증하고 있습니다. 업계 관계자는 경쟁사들이 기술 고도화와 생산능력 강화에 나선 가운데 SK하이닉스가 차세대 시장 우위를 위한 기술 차별화를 시도하고 있다고 평가했습니다.